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該信息來自：上海雷郎電器設備制造有限公司 瀏覽量：4384 發表時間：2012-05-04
1變壓器的投入問題
與文獻2相比，變壓器投入造成合閘飽和所形成的浪涌電流較大。為減小鐵心體積，一般變壓器的工作磁感應強度Bm選在B－H曲線接近拐點處，合閘瞬間最壞情況是磁感應強度最大為2Bm＋Br（剩磁），顯然變壓器將出現飽和，造成晶閘管損壞和電壓波形的畸變。為防止合閘瞬間飽和，可選擇Bm≤Bs/3。
2觸發驅動問題
晶閘管作為電流控制器件，當觸發脈沖的持續時間較小時，脈沖幅度必須相應增加。同時，脈沖寬度也取決于陽極電流達到擎住電流的時間。在本系統中，由于感性負載的存在，陽極電流上升率較低，若不施加較強的寬脈沖觸發，則晶閘管往往不能維持導通狀態。考慮負載是感性的，本系統采用電平觸發，其缺點是晶閘管損耗較大。
3晶閘管阻斷問題
晶閘管是一種雪崩式器件，這種器件的導通是由于在中間集電結上載流子的成倍增加引起的，在應用過程中，影響關斷時間的因素有結溫、通態電流及其下降率、反向恢復電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結溫及反向電壓影響最大。結溫愈高，關斷時間愈長；反壓越高，關斷時間愈短。
在系統中，由于感性負載的存在，在換流過程中，電感兩端會產生很高的反電動勢，這個異常電壓加在晶閘管兩端，容易引起晶閘管損壞。為防止這種情況，通常應采用浪涌電壓吸收電路。
4dv/dt、di/dt效應問題
晶閘管的斷態電壓上升率dv/dt較大的時候，有可能在比它的正向轉折電壓低得很多的電壓下導通。如果電路上的dv/dt超過器件允許的dv/dt值時，晶閘管就會誤導通而失去阻斷能力。在應用電路中，將晶閘管的門極通過電阻與陰極相連，從外部將位移電流旁路掉，以防止dv/dt引起的誤導通。
di/dt過大容易造成晶閘管擊穿，在電路中，采用前沿陡峻的強電平觸發以增大初始導通面積，進而改善di/dt容量。
由于dv/dt較大引起的誤觸發和di/dt過大引起的晶閘管擊穿現象，其后果是十分嚴重的。從圖1可以看出，這種情況的出現會導致直通現象，造成晶閘管的損壞甚至損壞變壓器。在電路設計中，采用可靠的晶閘管通斷檢測及限流措施，可以避免這種故障的發生。
5過電壓及過電流保護措施
過電壓的產生，主要有以下原因：
（1）變壓器投入時的浪涌電壓；
（2）變壓器抽頭轉換時產生的浪涌電壓；
（3）雷電侵入時的浪涌電壓；
（4）直流回路斷路時產生的浪涌電壓。
在電路中，加入浪涌吸收器可以吸收變壓器一次系統電磁轉移而侵入的浪涌電壓，同時還能吸收變壓器通斷時產生的變壓器磁能。為避免雷電侵入時產生的浪涌電壓，可采用半導體避雷器。
在系統中，為避免誤觸發引起的直通現象，可以采用如下技術措施：
（1）確保晶閘管的觸發信號可靠。利用軟件濾波程序使輸出觸發信號每組只有一個有效，再利用74LS273和防環流邏輯電路（PAL16V8），以確保即使在單片機失控的情況下也不會出現誤觸發。另外，觸發信號引線采用屏蔽線及其它抗干擾措施，以防止誤觸發現象的產生。
(2)確保換向可靠。在正常工作時，往往要改變補償電壓的大小，即調整晶閘管的導通組合。如果換向的時機或者組合不當就會形成直通而損壞晶閘管。在設計中采用過零點切換技術，最關鍵的是準確檢測晶閘管的工作狀態。為此，采取軟、硬件結合和互鎖技術，確保開關工作準確無誤。實際運行結果表明上述技術是可行的。
6感性負載的影響
由于感性負載的存在，應考慮加大觸發脈沖寬度，否則晶閘管在陽極電流達到擎住電流之前，觸發信號減弱，造成晶閘管不能正常導通。在關斷時，感性負載也會給晶閘管造成一些問題。
在實際系統中，采用電平觸發，以確保晶閘管可靠導通。
7過零開關技術
在調壓過程中，通過過零檢測而產生的信號來控制晶閘管門極觸發信號，保證其過零通斷，從而避免了在調壓過程中，由于晶閘管通斷對電網造成的污染。
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